高亮度垂直結構LED 通常情況下，藍光/綠光LED是由幾微米厚的氮化鎵（GaN）薄膜在藍寶石襯底上外延生長形成的。 一些LED的制造成本主要取決于藍寶石襯底本身的成本和劃片-裂片加工成本。對于傳統的LED倒裝橫向結構，藍寶石是不會被剝離的，因此，陰和陽都在同一側的氮化鎵外延層（epi）。 這種橫向結構對于高亮度LED有幾個缺點：材料內電流密度大、電流擁擠、可靠性較差、壽命較短；此外，通過藍寶石的光損很大。
設計人員通過聚廣恒光纖激光打標機剝離（LLO）工藝可以實現垂直結構的LED，它克服了傳統的橫向結構的多種缺陷。垂直結構LED可以提供大的電流，除電流擁擠問題以及器件內的瓶頸問題，顯著提LED的大輸出光功率與大效率。
垂直LED結構要求在加電之前剝離掉藍寶石。準分子聚廣恒光纖激光打標機器已被證明是分離藍寶石與氮化鎵薄膜的效工具。LED聚廣恒光纖激光打標機剝離技術大大減少了LED加工時間，降了生產成本，使制造商在藍寶石晶圓上生長氮化鎵LED薄膜器件，并使薄膜器件與熱沉進行電互連。這個工藝使得氮化鎵薄膜可以立于支撐物，并且氮化鎵LED可以集成到任基板上。
