應用于激光打標機設備的半導體激光器，隨著半導體材料外延生長技術、半導體激光打標機的激光器光波導結構優化技術、腔面鈍化技術、高穩定性封裝技術、高效散熱技術水平的不斷提高，半導體激光器功率及光束質量飛速發展，促進了直接工業用半導體激光打標機系統和高功率光纖激光器的發展。 

目前國際上直接工業用大功率半導體激光器在輸出功率5000 W級別已超過燈抽運固體激光器的光束質量，在1000 W級別已超過全固態激光器的光束質量。隨著化合物半導體技術的進步，工業用大功率半導體激光器的輸出功率和光束質量將進一步提高，將進一步擴展其工業應用范圍，更進一步拉動我國激光加工行業，激光切割機設備，激光打標機設備的內銷和進出口額度。 

在高功率光纖激光器抽運源方面，光纖耦合輸出的功率不斷上升，光纖芯徑和數值孔徑不斷降低，導致光纖激光打標機所使用的光纖激光器的抽運亮度不斷提高，同時成本卻不斷下降，因此未來高功率光纖激光器的輸出功率與光束質量也將不斷地提高?？梢灶A計，在未來工業激光加工，特別是在金屬激光加工(laser oem)領域，大功率半導體激光器主要應用在激光表面處理、激光熔覆和近距離激光焊接領域，而大功率光纖激光器主要應用在光束質量要求更高的激光切割和遠程激光焊接，高精度激光打標機領域。

 半導體激光單元器件具有獨立的電、熱工作環境，避免了發光單元之間的熱串擾，使其在壽命、光束質量方面與CM Bar相比具有明顯優勢。此外單元器件驅動電流低、多個串聯工作大幅度降低了對驅動電源的要求。同時單元器件的發熱量相對較低，可直接采用傳導熱沉散熱，避免了微通道熱沉引入的壽命短的問題。而且獨立的熱工作環境使其可高功率密度工作，目前單元器件的有源區光功率線密度可達200 mW/μm以上，同時具有較窄的光譜寬度，而CM Bar有源區光功率線密度僅為50~85 mW/μm左右。特別是獨立的熱、電工作環境大幅度降低了器件的失效幾率，在高穩定性金錫焊料封裝技術的支撐下，商用高功率單元器件壽命均達10萬小時以上，遠高于CM Bar的壽命，有效降低了器件的使用成本?；谏鲜鰞烖c，單元器件大有逐漸替代CM Bar成為高功率、高光束質量半導體激光主流器件的趨勢，也直接導致半導體激光打標機成為激光加工業的主流。 

在國內，最近幾年高功率、高光束質量大功率半導體激光器相關領域方面也取得了長足的進步，但是在半導體激光器的核心部件—半導體激光芯片的研制和生產方面，一直受外延生長技術、腔面鈍化技術以及器件制作工藝水平的限制，國產半導體激光器件的功率、壽命方面較之國外先進水平尚有較大差距。這導致國內實用化高功率、長壽命半導體激光芯片主要依賴于進口，直接導致我國半導體激光器系統的價格居高不下，嚴重影響了大功率半導體激光器在我國的推廣應用，同時也限制了我國高功率光纖激光器的研制和開發。隨著當前我國半導體激光器研究和開發技術的不斷應用和發展，半導體器件的外延技術和封裝技術也將不斷成熟，將創造更高功率的半導體激光切割機，激光打標機設備呈現市場。

 圖：半導體激光打標機直接打標金屬的效果