此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：https://www.businesswire.com/news/home/20180326005358/en/
100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用于需要多個LED的前照燈應用，高靜電放電抗擾度為這一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造，使用 TSOP6F封裝，具備1.5W的允許功耗和低導通電阻。此外，TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。
應用場合
汽車LED前照燈驅動器
特點
小型封裝
高效靜電放電保護
低RDS(ON)
|
主要規格
|
||||||
|
(@Ta=25℃)
|
||||||
|
項目
(Ta=25℃) |
SSM6N813R
|
|||||
|
絕對最大額定值
|
漏源極電壓
VDSS (V) |
100
|
||||
|
柵源極電壓
VGSS (V) |
+/-20
|
|||||
|
漏極電流
ID (A) |
3.5
|
|||||
|
電氣特性
|
漏源極導通電阻
RDS(ON)最大值 (mΩ) |
VGS=10V
|
112
|
|||
|
VGS=4.5V
|
154
|
|||||
|
輸入電容
Ciss典型值(pF) |
242
|
|||||
|
封裝
|
TSOP6F
|
2.9mm×2.8mm；t=0.8mm
|
||||
有關東芝最新小型低導通電阻MOSFET的更多信息，請訪問如下鏈接：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
客戶垂詢：
小型信號器件銷售與營銷部
電話：+81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*本新聞稿中的信息，包括產品價格和規格、服務內容以及聯系信息僅反映截至本新聞稿發布之日的情況，如有變動，恕不另行通知。
關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧于一體。自2017年7月成為一家獨立公司以來，我們已躋身領先的通用設備公司之列并為客戶和商業合作伙伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD解決方案。
公司遍布全球的1.9萬名員工同心一致，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的密切合作，促進價值和新市場的共同創造。我們期望基于目前超過7000億日元(60億美元)的年度銷售額，致力于為全球人類創造更加美好的未來。
有關公司的更多詳情，請訪問https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
原文版本可在businesswire.com上查閱：https://www.businesswire.com/news/home/20180326005358/en/
免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便了解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
聯系方式：
媒體垂詢：
東芝電子元件及存儲裝置株式會社
Chiaki Nagasawa，+81-3-3457-4963
數字營銷部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
東芝：搭載高效靜電放電保護的雙MOSFET “SSM6N813R”，該產品適用于汽車應用，包括LED前照燈驅動器IC。
東芝：雙MOSFET“SSM6N813R”標記電路和等效電路
